Microchip JANS2N2219A

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

800 mA

Base Product Number

2N2219

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

RoHS

Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

300 MHz

Manufacturer Part Number

JANS2N2219A

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

SEMICOA CORP

Risk Rank

5.05

Part Package Code

TO-39

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/251

包装

Tray

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

800 mW

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/251

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率 - 最大

800 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

800 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10nA

JEDEC-95代码

TO-39

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

最大耗散功率(Abs)

0.8 W

集电极电流-最大值(IC)

0.8 A

最小直流增益（hFE）

30

连续集电极电流

800

集电极-发射器电压-最大值

50 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无