参数名
参数值
参数名
参数值
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
YES
引脚数
3
供应商器件包装
UB
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer
ABB
Manufacturer Part Number
ACH580-BCR-088A-2+B058+J429+K451
Transistor Polarity
NPN
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
50 mA
Base Product Number
2N2484
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Schedule B
8541210080
Package Description
SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
Package Style
小概要
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.24
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/376
包装
Waffle
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
参考标准
MIL-19500/376
JESD-30代码
R-CDSO-N3
资历状况
Qualified
配置
SINGLE
功率 - 最大
360 mW
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
250 @ 1mA, 5V
最大集极截止电流
2nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 100µA, 1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
60 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
0.36 W
集电极电流-最大值(IC)
0.05 A
最小直流增益(hFE)
225
连续集电极电流
50
集电极-发射器电压-最大值
60 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT