JANS2N3501
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Microchip JANS2N3501

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型号

JANS2N3501

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-JANS2N3501

商品类别

集成电路(IC)

封装

TO-39-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 150V 300mA 3-Pin TO-39 Tray

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JANS2N3501
JANS2N3501 Microchip Trans GP BJT NPN 150V 300mA 3-Pin TO-39 Tray

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JANS2N3501详情

Microchip JANS2N3501重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    24 Weeks

  • 表面安装

    NO

  • 包装/外壳

    TO-39-3

  • 安装类型

    通孔

  • 供应商器件包装

    TO-39

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    JANS2N3501

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Part Package Code

    BCY

  • Package Description

    CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

  • Risk Rank

    1.53

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    200 °C

  • Package Body Material

    METAL

  • Package Shape

    ROUND

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Turn-off Time-Max (toff)

    1150 ns

  • Turn-on Time-Max (ton)

    115 ns

  • Transistor Polarity

    NPN

  • Emitter-Base Voltage

    6(V)

  • Package Type

    TO-39

  • Collector-Base Voltage

    150(V)

  • Category

    双极电源

  • Operating Temp Range

    -65C to 200C

  • Collector Current (DC)

    0.3(A)

  • Rad Hardened

  • DC Current Gain

    35

  • Mounting

    通孔

  • Emitter- Base Voltage VEBO

    6 V

  • Pd - Power Dissipation

    1 W

  • Maximum Operating Temperature

    + 200 C

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    400 mV

  • Minimum Operating Temperature

    - 65 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Mounting Styles

    通孔

  • Gain Bandwidth Product fT

    -

  • Brand

    Microchip / Microsemi

  • Maximum DC Collector Current

    300 mA

  • RoHS

    N

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    150 V

  • Package

    Bulk

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    300 mA

  • Base Product Number

    2N3501

  • 厂商

    微芯片技术

  • Product Status

    活跃

  • 包装

    Tray

  • 操作温度

    -65°C ~ 200°C (TJ)

  • 系列

    Military, MIL-PRF-19500/366

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 子类别

    Transistors

  • 技术

    Si

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    2

  • 参考标准

    MIL-19500/366K

  • JESD-30代码

    O-MBCY-W3

  • 资历状况

    Qualified

  • 配置

    SINGLE

  • 功率耗散

    1(W)

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 输出功率

    Not Required(W)

  • 功率 - 最大

    1 W

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors

  • 晶体管类型

    NPN

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    100 @ 150mA, 10V

  • 最大集极截止电流

    10µA (ICBO)

  • JEDEC-95代码

    TO-205AD

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    400mV @ 15mA, 150mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    150 V

  • 频率转换

    -

  • 集电极基极电压(VCBO)

    150 V

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.3 A

  • 最小直流增益(hFE)

    20

  • 连续集电极电流

    300

  • 集电极-发射器电压-最大值

    150 V

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - BJT

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JANS2N3501拓展信息

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27C256-12/P
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