参数名
参数值
参数名
参数值
工厂交货时间
24 Weeks
表面安装
NO
包装/外壳
TO-39-3
安装类型
通孔
供应商器件包装
TO-39
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
JANS2N3501
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Part Package Code
BCY
Package Description
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Risk Rank
1.53
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
METAL
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Turn-off Time-Max (toff)
1150 ns
Turn-on Time-Max (ton)
115 ns
Transistor Polarity
NPN
Emitter-Base Voltage
6(V)
Package Type
TO-39
Collector-Base Voltage
150(V)
Category
双极电源
Operating Temp Range
-65C to 200C
Collector Current (DC)
0.3(A)
Rad Hardened
无
DC Current Gain
35
Mounting
通孔
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Pd - Power Dissipation
1 W
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
400 mV
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Gain Bandwidth Product fT
-
Brand
Microchip / Microsemi
Maximum DC Collector Current
300 mA
RoHS
N
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
150 V
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
300 mA
Base Product Number
2N3501
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
包装
Tray
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/366
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500/366K
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
Qualified
配置
SINGLE
功率耗散
1(W)
箱体转运
COLLECTOR
输出功率
Not Required(W)
功率 - 最大
1 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
10µA (ICBO)
JEDEC-95代码
TO-205AD
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 15mA, 150mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
150 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
150 V
集电极电流-最大值(IC)
0.3 A
最小直流增益(hFE)
20
连续集电极电流
300
集电极-发射器电压-最大值
150 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT