Microchip JANS2N3501UB

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

YES

供应商器件包装

UB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

300 mA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Package Description

SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3

Package Style

小概要

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Operating Temperature-Max

200 °C

Manufacturer Part Number

JANS2N3501UB

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

SEMICOA CORP

Risk Rank

4.33

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/366

包装

Waffle

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500/366

JESD-30代码

R-CDSO-N3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率耗散

1.5

功率 - 最大

500 mW

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 15mA, 150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

150 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

集电极电流-最大值(IC)

0.3 A

最小直流增益（hFE）

20

连续集电极电流

300

集电极-发射器电压-最大值

150 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT