登录 / 注册

产品

输入型号/关键词

显示的结果

'jans2n5416s'

2结果

所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

表面安装

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

厂商

操作温度

系列

JESD-609代码

无铅代码

ECCN 代码

端子表面处理

HTS代码

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

Reach合规守则

参考标准

JESD-30代码

资历状况

功率 - 最大

极性/通道类型

晶体管类型

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

最大集极截止电流

JEDEC-95代码

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

电压 - 集射极击穿（最大值）

频率转换

集电极电流-最大值(IC)

最小直流增益（hFE）

集电极-发射器电压-最大值

JANS2N5416S

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

NO

TO-39 (TO-205AD)

3

SILICON

JANS2N5416S

无

活跃

微芯片技术

MICROSEMI CORP

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

5.42

METAL

ROUND

CYLINDRICAL

未说明

Bulk

50 µA

活跃

-65°C ~ 200°C (TJ)

Military, MIL-PRF-19500/485

e0

无

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

8541.29.00.95

BOTTOM

WIRE

未说明

compliant

MILITARY STANDARD (USA)

O-MBCY-W3

Qualified

750 mW

PNP

PNP

30 @ 50mA, 10V

50µA

TO-5

2V @ 5mA, 50mA

300 V

-

1 A

30

300 V

JANS2N5416S

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1