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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥674.222477
10
¥636.058943
100
¥600.055606
500
¥566.090197
1000
¥534.047352
JANS2N5666S详情
Microchip JANS2N5666S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
34 Weeks
表面安装
NO
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供应商器件包装
TO-39 (TO-205AD)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
JANS2N5666S
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
SEMICOA CORP
Package Description
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Risk Rank
5.04
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
METAL
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
5 A
Base Product Number
2N5666
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/455
包装
Bulk
ECCN 代码
EAR99
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
参考标准
MIL-19500/455
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
Qualified
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
1.2 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 1A, 5V
最大集极截止电流
200nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 1A, 5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
200 V
频率转换
-
集电极电流-最大值(IC)
5 A
最小直流增益(hFE)
40
集电极-发射器电压-最大值
200 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
JANS2N5666S拓展信息
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip







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