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'jans2n5666s'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

安装类型

包装/外壳

表面安装

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

厂商

操作温度

包装

系列

ECCN 代码

子类别

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

参考标准

JESD-30代码

资历状况

配置

箱体转运

功率 - 最大

晶体管应用

极性/通道类型

产品类别

晶体管类型

最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

最大集极截止电流

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

电压 - 集射极击穿(最大值)

频率转换

集电极电流-最大值(IC)

最小直流增益(hFE)

集电极-发射器电压-最大值

产品类别

JANS2N5666S
JANS2N5666S
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

34 Weeks

通孔

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

NO

TO-39 (TO-205AD)

3

SILICON

JANS2N5666S

无

接触制造商

SEMICOA CORP

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

5.04

微芯片技术

1

200 °C

METAL

ROUND

CYLINDRICAL

未说明

Bulk

5 A

2N5666

活跃

1

Microchip / Microsemi

N

-65°C ~ 200°C (TJ)

Bulk

Military, MIL-PRF-19500/455

EAR99

Transistors

Si

BOTTOM

WIRE

未说明

compliant

MIL-19500/455

O-MBCY-W3

Qualified

SINGLE

COLLECTOR

1.2 W

SWITCHING

NPN

BJTs - Bipolar Transistors

NPN

40 @ 1A, 5V

200nA

1V @ 1A, 5A

200 V

-

5 A

40

200 V

Bipolar Transistors - BJT