Microchip JANS2N5796UC

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SMD, No Lead

供应商器件包装

UC

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

5 W

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.6 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

DC Current Gain hFE Max

300 at 150 mA, 10 V

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/496

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Dual

功率 - 最大

600mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

2 PNP (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

连续集电极电流

600 mW

产品类别

Bipolar Transistors - BJT