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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1796.996982
10
¥1695.280168
100
¥1599.320916
500
¥1508.793313
1000
¥1423.389918
JANS2N918UB详情
Microchip JANS2N918UB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
YES
供应商器件包装
UB
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
E34-600100-J03XSPKIT-NS
Manufacturer
Honeywell
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
50 mA
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Risk Rank
1.58
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Package Shape
RECTANGULAR
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Style
小概要
Package Description
SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/301
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
参考标准
MIL-19500/301H
JESD-30代码
R-CDSO-N3
资历状况
Qualified
配置
SINGLE
功率 - 最大
200 mW
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 3mA, 1V
最大集极截止电流
1µA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 1mA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
15 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
0.2 W
集电极电流-最大值(IC)
0.05 A
最小直流增益(hFE)
6
集电极-发射器电压-最大值
15 V
最高频段
超高频段
集电极-基极电容-最大值
3 pF
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
JANS2N918UB拓展信息
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip







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