Microchip JANSF2N2222A

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供应商器件包装

TO-18 (TO-206AA)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JANSF2N2222A

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

SEMICOA CORP

Part Package Code

BCY

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Risk Rank

5.17

Number of Elements

1

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Turn-on Time-Max (ton)

35 ns

Package

Tray

Current-Collector (Ic) (Max)

800 mA

Base Product Number

2N2222

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

75

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Brand

Microchip / Microsemi

DC Current Gain hFE Max

325

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/255

包装

Tray

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/255

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

500 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

50nA

JEDEC-95代码

TO-206AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

集电极电流-最大值(IC)

0.8 A

最小直流增益（hFE）

30

连续集电极电流

800 mA

集电极-发射器电压-最大值

50 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT