Microchip JANSF2N2222AUA

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

YES

供应商器件包装

UA

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tray

Current-Collector (Ic) (Max)

800 mA

Base Product Number

2N2222

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

650 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

75

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

DC Current Gain hFE Max

325

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-CDSO-N4

Package Style

小概要

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANSF2N2222AUA

Turn-on Time-Max (ton)

35 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Risk Rank

5.04

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/255

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500/255

JESD-30代码

R-CDSO-N4

资历状况

Qualified

配置

Single

功率 - 最大

650 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

50nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

集电极电流-最大值(IC)

0.8 A

最小直流增益（hFE）

30

连续集电极电流

800 mA

集电极-发射器电压-最大值

50 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT