Microchip JANSF2N7262

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Risk Rank

7.9

Drain Current-Max (ID)

5.5 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Description

MODIFIED TO-39, 3 PIN

Part Package Code

BCY

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANSF2N7262

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

辐射硬化

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/601

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-205AF

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.6 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

22 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

240 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.8 W