Microchip JANSR2N2222AUB

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

供应商器件包装

UB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JANSR2N2222AUB

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3

Risk Rank

5.3

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Turn-on Time-Max (ton)

35 ns

Transistor Polarity

NPN

Package

Tray

Current-Collector (Ic) (Max)

800 mA

Base Product Number

2N2222

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541210080, 8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080

RoHS

Non-Compliant

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

75

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/255

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500/255

JESD-30代码

R-CDSO-N3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率耗散

500

功率 - 最大

500 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

50nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

集电极电流-最大值(IC)

0.8 A

最小直流增益（hFE）

30

连续集电极电流

800

集电极-发射器电压-最大值

50 V