Microchip JANSR2N2369AUBC

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

供应商器件包装

3-SMD

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JANSR2N2369AUBC

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.85

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Turn-off Time-Max (toff)

18 ns

Turn-on Time-Max (ton)

12 ns

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

400 nA

Base Product Number

2N2369A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Shipping Restrictions

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Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/317

包装

Waffle

ECCN 代码

EAR99

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500; RH - 100K Rad(Si)

JESD-30代码

R-CDSO-N3

配置

SINGLE

功率 - 最大

360 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 100mA, 1V

最大集极截止电流

400nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

450mV @ 10mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

15 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

0.36 W

最小直流增益（hFE）

20

集电极-发射器电压-最大值

15 V

VCEsat-最大值

0.2 V

集电极-基极电容-最大值

4 pF

环境耗散-最大值

0.36 W

产品类别

Bipolar Transistors - BJT