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'jansr2n3439'

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对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

生命周期状态

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

厂商

操作温度

包装

系列

ECCN 代码

类型

HTS代码

子类别

技术

端子位置

终端形式

Reach合规守则

输出量

引脚数量

参考标准

JESD-30代码

资历状况

配置

功率耗散

箱体转运

功率 - 最大

准确性

极性/通道类型

输入

产品类别

晶体管类型

温度范围

最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

最大集极截止电流

JEDEC-95代码

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

电压 - 集射极击穿(最大值)

频率转换

最大耗散功率(Abs)

集电极电流-最大值(IC)

最小直流增益(hFE)

连续集电极电流

集电极-发射器电压-最大值

产品类别

电气连接

JANSR2N3439
JANSR2N3439
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

TO-39 (TO-205AD)

微芯片技术

NPN

Bulk

2 µA

活跃

1

Microchip

Microchip / Microsemi

Details

-65°C ~ 200°C (TJ)

Bulk

Military, MIL-PRF-19500/368

Transistors

Si

5

800 mW

BJTs - Bipolar Transistors

NPN

40 @ 20mA, 10V

2µA

500mV @ 4mA, 50mA

350 V

-

1

Bipolar Transistors - BJT

JANSR2N3439L
JANSR2N3439L
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

通孔

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

NO

3

TO-5

3

SILICON

活跃

2 µA

Bulk

1

Microchip / Microsemi

微芯片技术

N

8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080

1000 ns

无

200 °C

METAL

CYLINDRICAL

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

TO-5

2.19

10000 ns

MICROSEMI CORP

活跃

1

ROUND

RLM3200

Cutler Hammer, Div of Eaton Co

-65°C ~ 200°C (TJ)

Bulk

Military, MIL-PRF-19500/368

EAR99

8541.21.00.95

Transistors

BOTTOM

WIRE

compliant

MIL-19500; RH - 100K Rad(Si)

O-MBCY-W3

Qualified

SINGLE

COLLECTOR

800 mW

NPN

BJTs - Bipolar Transistors

NPN

40 @ 20mA, 10V

2µA

TO-5

500mV @ 4mA, 50mA

350 V

-

0.8 W

1 A

40

350 V

Bipolar Transistors - BJT

JANSR2N3439UA
JANSR2N3439UA
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

4-SMD, No Lead

YES

UA

4

SILICON

MICROSEMI CORP

SMALL OUTLINE, R-CDSO-N4

5.22

1

微芯片技术

200 °C

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

RECTANGULAR

小概要

10000 ns

1000 ns

Bulk

2 µA

活跃

1

Microchip / Microsemi

Details

JANSR2N3439UA

有

活跃

-65°C ~ 200°C (TJ)

Waffle

Military, MIL-PRF-19500/368

EAR99

8541.21.00.95

Si

DUAL

无铅

compliant

3

MIL-19500; RH - 100K Rad(Si)

R-CDSO-N4

Qualified

SINGLE

COLLECTOR

800 mW

NPN

BJTs - Bipolar Transistors

NPN

40 @ 20mA, 10V

2µA

500mV @ 4mA, 50mA

350 V

-

0.8 W

1 A

40

350 V

Bipolar Transistors - BJT

JANSR2N3439U4
JANSR2N3439U4
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

3-SMD, No Lead

U4

Details

微芯片技术

Microchip / Microsemi

有

JANSR2N3439U4

活跃

MICROSEMI CORP

5.59

NPN

Bulk

2 µA

活跃

1

Microchip

-65°C ~ 200°C (TJ)

Waffle

Military, MIL-PRF-19500/368

Transistors

Si

compliant

5

800 mW

BJTs - Bipolar Transistors

NPN

40 @ 20mA, 10V

2µA

500mV @ 4mA, 50mA

350 V

-

1

Bipolar Transistors - BJT

JANSR2N3439U4/TR
JANSR2N3439U4/TR
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

3-SMD, No Lead

U4

微芯片技术

Tape & Reel (TR)

活跃

1 A

1

Microchip

Microchip / Microsemi

N

-65°C ~ 200°C (TJ)

-

800 mW

NPN

40 @ 20mA, 10V

2μA

500mV @ 4mA, 50mA

350 V

-

微芯片技术

JANSR2N3439UA/TR
JANSR2N3439UA/TR
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

4-SMD, No Lead

UA

微芯片技术

Barksdale Control Products

Tape & Reel (TR)

2 µA

活跃

445T4-07-E

ATEX, CE, IECEX

-65°C ~ 200°C (TJ)

Military, MIL-PRF-19500/368

本质安全型

4-20 mA

800 mW

0.25 %

12-28 VDC

NPN

-40-158 °F

40 @ 20mA, 10V

2µA

500mV @ 4mA, 50mA

350 V

-

M12 Hirschman Connector