Microchip JANSR2N3439L

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-5

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

RLM3200

Manufacturer

Cutler Hammer, Div of Eaton Co

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

2 µA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Schedule B

8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Turn-on Time-Max (ton)

1000 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

10000 ns

Risk Rank

2.19

Part Package Code

TO-5

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/368

包装

Bulk

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500; RH - 100K Rad(Si)

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

800 mW

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

最大集极截止电流

2µA

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 4mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

350 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

0.8 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

350 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT