JANSR2N3501UB
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Microchip JANSR2N3501UB

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型号

JANSR2N3501UB

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-JANSR2N3501UB

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

4-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 3-Pin SMD

起订量

1最小包装量--

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JANSR2N3501UB
JANSR2N3501UB Microchip Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 3-Pin SMD

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JANSR2N3501UB详情

Microchip JANSR2N3501UB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    4-SMD, No Lead

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    UB

  • 材料

    铝合金

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    M85049/38

  • 厂商

    Amphenol PCD

  • Product Status

    活跃

  • For Use With/Related Products

    MIL-DTL-38999 Series III, IV

  • Transistor Polarity

    NPN

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    300 mA

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Manufacturer

    Microchip

  • Brand

    Microchip / Microsemi

  • RoHS

    Details

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    200 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    JANSR2N3501UB

  • Turn-on Time-Max (ton)

    115 ns

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Turn-off Time-Max (toff)

    1150 ns

  • Risk Rank

    5.54

  • 系列

    Military, SAE AS85049

  • 操作温度

    -65°C ~ 200°C (TJ)

  • 包装

    Waffle

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    电缆夹

  • 端子表面处理

    Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier

  • 颜色

    Black

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 子类别

    Transistors

  • 技术

    Si

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 屏蔽/屏蔽

    -

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 入口保护

    -

  • Reach合规守则

    compliant

  • 参考标准

    MIL-19500; RH - 100K Rad(Si)

  • 外壳尺寸-插入

    15

  • JESD-30代码

    R-CDSO-N3

  • 资历状况

    Qualified

  • 配置

    SINGLE

  • 镀层

    Anodized

  • 功率耗散

    1.5

  • 功率 - 最大

    500 mW

  • 电缆开口

    0.260 ~ 0.460 (6.60mm ~ 11.68mm)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 螺纹尺寸

    -

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors

  • 晶体管类型

    NPN

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    100 @ 150mA, 10V

  • 最大集极截止电流

    10µA (ICBO)

  • 包括

    -

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    400mV @ 15mA, 150mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    150 V

  • 频率转换

    -

  • 电缆出口

    180°

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.3 A

  • 最小直流增益(hFE)

    20

  • 连续集电极电流

    300

  • 集电极-发射器电压-最大值

    150 V

  • 特征

    夹紧螺钉

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - BJT

  • 直径 - 外部

    1.280 (32.51mm)

  • 材料可燃性等级

    -

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