JANTX1N2970B详情
Microchip JANTX1N2970B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
底架
Stud
安装类型
Stud Mount
包装/外壳
DO-203AA, DO-4, Stud
表面安装
NO
引脚数
2
供应商器件包装
DO-213AA (DO-4)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
1
RoHS
Non-Compliant
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
Package
Bulk
Impedance (Max) (Zzt)
1.2 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
O-MUPM-D1
Package Style
POST/STUD MOUNT
Package Body Material
METAL
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Reference Voltage-Nom
6.8 V
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JANTX1N2970B
Power Dissipation (Max)
10 W
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
1.86
Part Package Code
DO-4
包装
Bulk
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
Military, MIL-PRF-19500/114
容差
±5%
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Diodes & Rectifiers
最大功率耗散
10 W
技术
ZENER
端子位置
UPPER
终端形式
SOLDER LUG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
1
参考标准
MIL-19500/124
JESD-30代码
O-MUPM-D1
资历状况
Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
150 µA @ 5.2 V
功率耗散
10 W
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5 V @ 2 A
箱体转运
ANODE
功率 - 最大
10 W
最大反向漏电电流
150 µA
测试电流
370 mA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
6.8 V
齐纳电压
6.8 V
产品类别
齐纳二极管
最大电压允差
5%
JEDEC-95代码
DO-203AA
工作测试电流
370 mA
电压允差
5 %
产品类别
齐纳二极管
辐射硬化
无
JANTX1N2970B拓展信息
Microchip Technology
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