Microchip JANTX1N3022BUR-1

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-213AB, MELF (Glass)

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

DO-213AB (MELF, LL41)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Schedule B

8541100050, 8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Impedance (Max) (Zzt)

9 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

Discontinued at Digi-Key

Package Description

O-LELF-R2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

12 V

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTX1N3022BUR-1

Power Dissipation (Max)

1 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.57

Part Package Code

DO-213AB

操作温度

-55°C ~ 175°C

系列

Military, MIL-PRF-19500/115

容差

±5%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.50

最大功率耗散

1.25 W

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/115K

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

Qualified

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 9.1 V

功率耗散

1.25 W

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2 V @ 200 mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

1 W

最大反向漏电电流

1 µA

测试电流

21 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

12 V

齐纳电压

12 V

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-213AB

工作测试电流

21 mA

电压允差

5 %

辐射硬化

无