JANTX1N3029B-1详情
Microchip JANTX1N3029B-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
表面安装
NO
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
DO-204AL, DO-41, Axial
引脚数
2
供应商器件包装
DO-41
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Manufacturer Part Number
JANTX1N3029B-1
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Package Description
O-XALF-W2
Risk Rank
1.5
Number of Elements
1
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
ROUND
Package Style
长式
Power Dissipation (Max)
1 W
Reference Voltage-Nom
24 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
RoHS
Non-Compliant
Package
Bulk
Impedance (Max) (Zzt)
25 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
Discontinued at Digi-Key
操作温度
-55°C ~ 175°C
系列
Military, MIL-PRF-19500/115
容差
±5%
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
冶金结合
HTS代码
8541.10.00.50
最大功率耗散
1 W
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
参考标准
MIL-19500/115K
JESD-30代码
O-XALF-W2
资历状况
Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
10 µA @ 18.2 V
功率耗散
1 W
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 200 mA
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
1 W
最大反向漏电电流
10 µA
测试电流
10.5 mA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
24 V
齐纳电压
24 V
最大电压允差
5%
JEDEC-95代码
DO-41
工作测试电流
10.5 mA
电压允差
5 %
辐射硬化
无
JANTX1N3029B-1拓展信息
Microchip Technology
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