JANTX1N3040DUR-1详情
Microchip JANTX1N3040DUR-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
DO-213AB-2
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
供应商器件包装
DO-213AB (MELF, LL41)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Dissipation Factor DF
0.2
Voltage, Rating
3 kV
Temperature Coefficient / Code
+/- 30 PPM / C
Capacitance - nF
0.15 nF
Maximum Operating Temperature
+ 105 C
Unit Weight
0.297389 oz
Minimum Operating Temperature
- 25 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
125
Manufacturer
Vishay
Voltage Rating DC
3 kVDC
Brand
Vishay
RoHS
Details
Mounting Styles
SMD/SMT
Package
Bulk
Base Product Number
1N3040
Impedance (Max) (Zzt)
150 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
O-LELF-R2
Package Style
长式
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
GLASS
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Reference Voltage-Nom
68 V
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JANTX1N3040DUR-1
Power Dissipation (Max)
1 W
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.23
Part Package Code
DO-213AB
系列
564R
包装
Bulk
操作温度
-55°C ~ 175°C
容差
5 %
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
类型
径向引线
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
应用
通用型
附加功能
冶金结合
HTS代码
8541.10.00.50
电容量
150 pF
子类别
Capacitors
技术
ZENER
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500/115K
终端样式
Radial
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
Qualified
电介质
C0G (NP0)
极性
UNIDIRECTIONAL
引线间距
6.35 mm
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
10 µA @ 51.7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 200 mA
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
1 W
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
68 V
产品类别
陶瓷电容器
最大电压允差
1%
JEDEC-95代码
DO-213AB
工作测试电流
3.7 mA
产品
陶瓷片电容器
产品类别
陶瓷片电容器
长度
5.21 mm
直径
2.67 mm
JANTX1N3040DUR-1拓展信息
Microchip Technology
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