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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥63.233397
10
¥59.654152
100
¥56.277497
500
¥53.091976
1000
¥50.086771
JANTX1N4960US详情
Microchip JANTX1N4960US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
E-MELF
底架
表面贴装
引脚数
2
供应商器件包装
D-5B
Manufacturer Part Number
VH7251CT+3003B
Manufacturer
Johnson Controls
Package
Bulk
Base Product Number
1N4960
Impedance (Max) (Zzt)
2.5 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Zz - Zener Impedance
2.5 Ohms
Ir - Maximum Reverse Leakage Current
10 uA
Pd - Power Dissipation
5 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
0.019013 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
SMD/SMT
Brand
Microchip / Microsemi
Vz - Zener Voltage
12 V
RoHS
N
Voltage Temperature Coefficient
0.07 %/C
Schedule B
8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/85
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
Military, MIL-PRF-19500/356
包装
Bulk
容差
±5%
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
Diodes & Rectifiers
最大功率耗散
5 W
终端样式
SMD/SMT
阻抗
2.5 Ω
元素配置
Single
反向泄漏电流@ Vr
10 µA @ 9.1 V
功率耗散
5 W
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5 V @ 1 A
功率 - 最大
5 W
最大反向漏电电流
10 µA
测试电流
100 mA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
12 V
齐纳电压
12 V
产品类别
齐纳二极管
电压允差
5 %
齐纳电流
10 uA
产品类别
齐纳二极管
宽度
3.76 mm
高度
3.76 mm
长度
5.72 mm
辐射硬化
无
无铅
含铅
JANTX1N4960US拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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