Microchip JANTX1N5629A

表面安装

NO

包装/外壳

DO-13-2

安装类型

通孔

供应商器件包装

DO-13 (DO-202AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

JANTX1N5629A

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SENSITRON SEMICONDUCTOR

Package Description

O-XALF-W2

Risk Rank

5.75

Number of Elements

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

1 W

Breakdown Voltage / V

7.14 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.052911 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

143 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Package

Bulk

Base Product Number

1N5629

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/500

类型

Zener

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-XALF-W2

工作电源电压

5 V to 171 V

工作电压

5.8 V

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

6.45V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

143A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

10.5V

箝位电压

10.5 V

电压 - 反向断态（典型值）

5.8V

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

5.8 V

JEDEC-95代码

DO-13

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

击穿电压-最小值

6.45 V

击穿电压-最大值

7.14 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes