Microchip JANTX1N6062A

表面安装

NO

包装/外壳

DO-13-2

安装类型

通孔

供应商器件包装

DO-13 (DO-202AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

JANTX1N6062A

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

DO-13

Package Description

O-MALF-W2

Risk Rank

1.99

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

1 W

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Cd - Diode Capacitance

-

Breakdown Voltage / V

86.5 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.052911 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

12 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package

Bulk

Base Product Number

1N6062

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/507

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-MALF-W2

资历状况

Qualified

工作电压

75 V

极性

BIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

86.5V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

12A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

125V

箝位电压

125 V

电压 - 反向断态（典型值）

75V

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

75 V

JEDEC-95代码

DO-202AA

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

击穿电压-最小值

86.5 V

击穿电压-最大值

95.5 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes