Microchip JANTX1N6100

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

32-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)

底架

表面贴装

引脚数

14

供应商器件包装

32-SOJ

Memory Types

Volatile

Package

Bulk

Base Product Number

1N6100

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Cd - Diode Capacitance

4 pF

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

--

包装

Tube

零件状态

Obsolete

类型

Steering (Rail to Rail)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

Ethernet

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

4.5 V ~ 5.5 V

基本部件号

IDT71124

内存大小

1Mb (128K x 8)

电源线保护

无

电压 - 击穿

-

功率 - 脉冲峰值

-

正向电流

300 mA

峰值脉冲电流（10/1000μs）

-

访问时间

20ns

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

-

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

电压 - 反向断态（典型值）

-

单向通道

7

写入周期时间 - 字符、页面

20ns

正向电压

1 V

产品类别

TVS 二极管

反向恢复时间

10 ns

最大重复反向电压(Vrrm)

75 V

电容@频率

-

峰值非恢复性浪涌电流

500 mA

Vf-正向电压

1 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

辐射硬化

无