Microchip JANTX1N6136US

包装/外壳

SQ-MELF, B

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

B, SQ-MELF

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.019013 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package

Bulk

Base Product Number

1N6136

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

HERMETIC SEALED, SURFACE MOUNT PACKAGE-2

Package Style

长式

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Manufacturer Part Number

JANTX1N6136US

Power Dissipation (Max)

1.5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SEMTECH CORP

Breakdown Voltage-Nom

180 V

Risk Rank

5.35

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

参考标准

MIL-19500/516

JESD-30代码

O-XELF-N2

资历状况

Qualified

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

162.45V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

1.9A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

257.99V

电压 - 反向断态（典型值）

136.8V

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

136.8 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

500 W

击穿电压-最小值

162 V

最大箝位电压

245.7 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes