Microchip JANTX1N751AUR-1

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-213AA (Glass)

触点镀层

Lead, Tin

底架

表面贴装

引脚数

2

供应商器件包装

DO-213AA

二极管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Impedance (Max) (Zzt)

14 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/85

RoHS

Compliant

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

5.1 V

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTX1N751AUR-1

Power Dissipation (Max)

0.4 W

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.73

操作温度

-65°C ~ 175°C (TA)

系列

Military, MIL-PRF-19500/127

包装

Bulk

容差

±10%

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.10.00.50

最大功率耗散

500 mW

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

资历状况

Qualified

极性

UNIDIRECTIONAL

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

5 µA @ 2 V

功率耗散

500 mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1 V @ 200 mA

功率 - 最大

500 mW

最大反向漏电电流

5 µA

测试电流

20 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

5.1 V

齐纳电压

5.1 V

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-213AA

电压允差

5 %

辐射硬化

无

无铅

含铅