Microchip JANTX2N1711

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

20-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

安装类型

通孔

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

20-TSSOP

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Memory Types

Volatile

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

Base Product Number

2N1711

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

800 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

90

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

500 mA

DC Current Gain hFE Max

300

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

Number of Elements

1

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTX2N1711

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.19

Part Package Code

TO-5

操作温度

-40°C ~ 125°C

系列

XDCP™

包装

Tape & Reel (TR)

容差

±20%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

800 mW

技术

Si

电压 - 供电

1.2 V ~ 5.5 V, 1.7 V ~ 5.5 V

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

基本部件号

ISL23345

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/225F

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

极性

NPN

配置

Potentiometer

界面

I²C

电路数量

4

功率耗散

800 mW

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

800 mW

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

500 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10nA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-5

锥度

Linear

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 15mA, 150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

30 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

发射极基极电压 (VEBO)

7 V

抽头数

256

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

100

连续集电极电流

500 mA

温度系数(典型值)

65 ppm/°C

电阻(欧姆)

50k

集电极-发射器电压-最大值

30 V

特征

可选地址

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无