Microchip JANTX2N2222A

包装/外壳

TO-18-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-218

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Tolerance Voltage

10

Transistor Polarity

NPN

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

75 at 1mA, 10 VDC

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Unit Weight

0.054969 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

800 mA

DC Current Gain hFE Max

325 at 1 mA, 10 VDC

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

800 mA

Base Product Number

2N2222

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTX2N2222A

Turn-on Time-Max (ton)

35 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Risk Rank

0.84

Part Package Code

BCY

操作温度

-55 to 150 °C

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/255

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

电容量

0.0015 pF

子类别

Transistors

技术

Multilayer

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/255

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

Single

功率耗散

500

引线样式

Wraparound

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

500 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

50nA

JEDEC-95代码

TO-206AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

压敏电压

39 V

集电极电流-最大值(IC)

0.8 A

最小直流增益（hFE）

30

连续集电极电流

800

集电极-发射器电压-最大值

50 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT