Microchip JANTX2N2432A

包装/外壳

TO-18-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-18 (TO-206AA)

Mounting

通孔

Seated Plane Height

18.3 mm

Wire Form

内压接

Emitter- Base Voltage VEBO

18 V

Pd - Power Dissipation

600 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

2

Collector-Emitter Saturation Voltage

150 uV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

100 mA

DC Current Gain hFE Max

400

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

45 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

Base Product Number

2N2432

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-40 to 85 °C

系列

Military, MIL-PRF-19500/313

子类别

Transistors

技术

Si

端子间距

5.8 mm

配置

Single

功率 - 最大

300 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 1mA, 5V

最大集极截止电流

10nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

0.15mV @ 500µA, 10V

电压 - 集射极击穿（最大值）

45 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

45 V

连续集电极电流

100 mA

跳闸电流

5 A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

产品长度

11.4 mm