Microchip JANTX2N2920

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SMD, No Lead

供应商器件包装

TO-78-6

Transistor Polarity

Dual NPN

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

30mA

Base Product Number

2N2920

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

350 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

300

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Unit Weight

1 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

30 mA

DC Current Gain hFE Max

1000

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

操作温度

-20°C ~ 70°C

系列

SiT9120

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

零件状态

活跃

类型

XO (Standard)

子类别

Transistors

技术

Si

电压 - 供电

2.5V

频率

133.333333MHz

频率稳定性

±10ppm

输出量

LVDS

功能

Standby (Power Down)

基本谐振器

MEMS

最大电流源

55mA

电流 - 电源（禁用）（最大值）

35mA

配置

Dual

功率 - 最大

350mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

2 NPN (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 100µA, 1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

70 V

绝对牵引范围 (APR)

--

连续集电极电流

0.03 A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

座位高度(最大)

0.032 (0.80mm)

评级结果

--