JANTX2N2920U
JANTX2N2920U

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Microchip JANTX2N2920U

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型号

JANTX2N2920U

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-JANTX2N2920U

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

6-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NPN TRANSISTOR

起订量

--最小包装量--

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JANTX2N2920U
JANTX2N2920U Microchip NPN TRANSISTOR

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JANTX2N2920U详情

Microchip JANTX2N2920U重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-SMD, No Lead

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    6-SMD

  • 终端数量

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Capacitance Tolerance

    20%

  • Package

    Bulk

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    30mA

  • Base Product Number

    2N2920

  • 厂商

    微芯片技术

  • Product Status

    活跃

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Manufacturer

    Microchip

  • Brand

    Microchip / Microsemi

  • RoHS

    N

  • Package Description

    CYLINDRICAL, O-MBCY-W6

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Package Body Material

    METAL

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    200 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    JANTX2N2920U

  • Package Shape

    ROUND

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Risk Rank

    5.24

  • 操作温度

    -65°C ~ 200°C (TJ)

  • 系列

    Military, MIL-PRF-19500/355

  • 包装

    Bulk

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 电容量

    10 uF

  • 子类别

    Transistors

  • 技术

    Si

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 参考标准

    MIL-19500/355

  • JESD-30代码

    O-MBCY-W6

  • 资历状况

    Qualified

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS

  • 纹波电流

    742 mA

  • 制造商的尺寸代码

    E

  • 功率 - 最大

    350mW

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors

  • 晶体管类型

    2 NPN (Dual)

  • 等效串联电阻

    300 mOhm

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    300 @ 1mA, 5V

  • 最大集极截止电流

    10µA (ICBO)

  • JEDEC-95代码

    TO-78

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    300mV @ 100µA, 1mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    60V

  • 频率转换

    -

  • 最大耗散功率(Abs)

    1.25 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.03 A

  • 最小直流增益(hFE)

    300

  • 集电极-发射器电压-最大值

    60 V

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - BJT

  • 产品长度

    7.3 mm

  • 产品宽度

    4.3 mm

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