Microchip JANTX2N3467

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

Radial

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39

介电材料

Polypropylene (PP), Metallized

Lead Free Status / RoHS Status

--

Voltage Rating DC

850V

Voltage Rating AC

300V

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

5 W

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

40 at 1 A, 5 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

500 MHz

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

1 A

DC Current Gain hFE Max

120 at 500 mA, 1 V

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

40 V

Schedule B

8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080, 8541290080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40 V

Number of Elements

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 110°C

系列

MKP385

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.492 L x 0.157 W (12.50mm x 4.00mm)

容差

±5%

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

--

终端

PC引脚

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

应用

DC Link, DC Filtering; High Frequency, Switching; High Pulse, DV/DT

电容量

5600pF

子类别

Transistors

最大功率耗散

1 W

技术

Si

极性

PNP

引线间距

0.394 (10.00mm)

配置

Single

功率耗散

1 W

功率 - 最大

1 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 500mA, 1V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

40 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

特征

--

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

座位高度(最大)

0.394 (10.00mm)

辐射硬化

无

评级结果

--