Microchip JANTX2N3501

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Emitter-Base Voltage

6(V)

Package Type

TO-39

Collector-Base Voltage

150(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

0.3(A)

Number of Elements

1

DC Current Gain

35

Mounting

通孔

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

300 mA

Base Product Number

2N3501

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

400 mV

Unit Weight

0.272099 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

300 mA

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

150 V

Schedule B

8541210080, 8541290080, 8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150 V

hFEMin

100

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

150 MHz

Manufacturer Part Number

JANTX2N3501

Turn-on Time-Max (ton)

115 ns

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

1150 ns

Risk Rank

0.92

Part Package Code

BCY

包装

Bag

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/366

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

1 W

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/366K

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

极性

NPN

配置

Single

界面

PCIe

功率耗散

5

箱体转运

COLLECTOR

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

1 W

数据总线宽度

64 Bit

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

150 V

最大集电极电流

300 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-205AD

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 15mA, 150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

150 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

150 V

最大耗散功率(Abs)

1 W

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

0.3 A

最小直流增益（hFE）

20

最大结点温度（Tj）

200 °C

连续集电极电流

300

集电极-发射器电压-最大值

150 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

高度

6.6 mm

辐射硬化

无

无铅

含铅