Microchip JANTX2N3584

包装/外壳

TO-66-2

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

35 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

25

Collector-Emitter Saturation Voltage

750 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

2 A

DC Current Gain hFE Max

100

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

250 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

Base Product Number

2N3584

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

TO-66, 2 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTX2N3584

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.43

Part Package Code

TO-66

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/384

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/384D

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

2.5 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 1A, 10V

最大集极截止电流

5mA

JEDEC-95代码

TO-66

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

750mV @ 125mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

250 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

375 V

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最小直流增益（hFE）

25

连续集电极电流

2 A

集电极-发射器电压-最大值

250 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT