Microchip JANTX2N3700UB

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

表面贴装

包装/外壳

UB-4

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

UB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80 V

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

Unit Weight

0.041650 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

1 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N3700

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3

Package Style

小概要

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Operating Temperature-Min

-65 °C

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

JANTX2N3700UB

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

SEMICOA CORP

Risk Rank

5.11

Part Package Code

SOT

包装

Waffle

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/391

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

500 mW

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/391

JESD-30代码

R-CDSO-N3

资历状况

Qualified

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

500

功率 - 最大

500 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 500mA, 10V

最大集极截止电流

10nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

140 V

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

发射极基极电压 (VEBO)

7 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

15

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

80 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无