Microchip JANTX2N3765

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AB, TO-46-3 Metal Can

供应商器件包装

TO-46 (TO-206AB)

Voltage, Rating

150 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1.5 A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

20

Collector-Emitter Saturation Voltage

900 mV

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

1.5 A

DC Current Gain hFE Max

80

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/396

包装

Bulk

容差

0.25 %

温度系数

100 ppm/°C

电阻

62.6 kΩ

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

子类别

Transistors

额定功率

125 mW

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

500 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 500mA, 1V

最大集极截止电流

100µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

900mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

连续集电极电流

1.5 A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

高度

650 µm