Microchip JANTX2N3792

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-3

Manufacturer Part Number

S1PT4X4BRS3J

Approvals

cULus

Manufacturer

Hubbell

Transistor Polarity

PNP

Emitter-Base Voltage

7(V)

Package Type

TO-3

Collector-Base Voltage

80(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

10(A)

Number of Elements

1

DC Current Gain

50

Mounting

通孔

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

5 W

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

10 A

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

10 A

Base Product Number

2N3792

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/379

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

颜色

Black

子类别

Transistors

最大功率耗散

5 W

技术

Si

引脚数量

2 +Tab

极性

PNP

配置

Single

功率耗散

5

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

5 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

10 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 3A, 2V

最大集极截止电流

5mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 2A, 10A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

发射极基极电压 (VEBO)

7 V

连续集电极电流

10

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无