Microchip JANTX2N3868

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-5

Transistor Polarity

PNP

Emitter-Base Voltage

4(V)

Package Type

TO-5

Collector-Base Voltage

60(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

0.03(A)

Number of Elements

1

Mounting

通孔

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

3 mA

Base Product Number

2N3868

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

4 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

30 at 1.5 A, 2 VDC

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

Unit Weight

0.324873 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

3 mA

DC Current Gain hFE Max

150 at 1.5 A, 2 VDC

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Schedule B

8541210080, 8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60 V

包装

Bag

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/350

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

1 W

技术

Si

引脚数量

3

极性

PNP

配置

Single

功率耗散

1

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

1 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

3 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 1.5A, 2V

最大集极截止电流

100µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 250mA, 2.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

发射极基极电压 (VEBO)

4 V

连续集电极电流

3

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无

无铅

含铅