Microchip JANTX2N4033

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

安装类型

通孔

底架

通孔

包装/外壳

TO-39-3

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

电阻材料

Cermet

Lead Free Status / RoHS Status

--

Transistor Polarity

PNP

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Schedule B

8541210080, 8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80 V

hFEMin

100

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

800 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

1 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N4033

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTX2N4033

Turn-on Time-Max (ton)

40 ns

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

210 ns

Risk Rank

1.03

Part Package Code

BCY

系列

RJ-4

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

尺寸/尺寸

Round - 0.193 Dia x 0.177 H (4.90mm x 4.50mm)

容差

±10%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

--

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±100ppm/°C

电阻

5 kOhms

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

功率(瓦特)

0.5W, 1/2W

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

800 mW

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/512

终端样式

PC引脚

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

极性

PNP

配置

Single

功率耗散

800

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

800 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

调整类型

顶部调整

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

转弯数量

1

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-205AD

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

25

最大结点温度（Tj）

200 °C

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

80 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

高度

6.6 mm

辐射硬化

无