JANTX2N4854
JANTX2N4854

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Microchip JANTX2N4854

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型号

JANTX2N4854

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-JANTX2N4854

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

TO-78-6

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT BJTs

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JANTX2N4854
JANTX2N4854 Microchip Bipolar Transistors - BJT BJTs

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JANTX2N4854详情

Microchip JANTX2N4854重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    TO-78-6

  • 安装类型

    通孔

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    TO-78-6

  • 材料

    Aluminum

  • 形状

    Square, Fins

  • 包装冷却

    Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)

  • 材料处理

    蓝色阳极氧化

  • 终端数量

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Emitter- Base Voltage VEBO

    5 V

  • Pd - Power Dissipation

    2 W

  • Transistor Polarity

    NPN, PNP

  • Maximum Operating Temperature

    + 200 C

  • DC Collector/Base Gain hfe Min

    60

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    400 mV

  • Minimum Operating Temperature

    - 65 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Mounting Styles

    通孔

  • Gain Bandwidth Product fT

    -

  • Manufacturer

    Microchip

  • Brand

    Microchip / Microsemi

  • Maximum DC Collector Current

    600 mA

  • DC Current Gain hFE Max

    300

  • RoHS

    N

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    40 V

  • Package

    Bulk

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    600mA

  • Base Product Number

    2N4854

  • 厂商

    微芯片技术

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    CYLINDRICAL, O-MBCY-W6

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Package Body Material

    METAL

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    200 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    JANTX2N4854

  • Turn-on Time-Max (ton)

    45 ns

  • Package Shape

    ROUND

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Turn-off Time-Max (toff)

    300 ns

  • Risk Rank

    1.76

  • Part Package Code

    TO-78

  • 系列

    pushPIN™

  • 操作温度

    -65°C ~ 200°C (TJ)

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 零件状态

    活跃

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    顶部安装

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 子类别

    Transistors

  • 技术

    Si

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    6

  • 参考标准

    MIL-19500/421G

  • JESD-30代码

    O-MBCY-W6

  • 资历状况

    Qualified

  • 配置

    Single

  • 附着方法

    推销

  • 离底高度(鳍的高度)

    0.790 (20.00mm)

  • 强制空气流动时的热阻

    9.03°C/W @ 100 LFM

  • 功率 - 最大

    600mW

  • 极性/通道类型

    NPN和PNP

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors

  • 晶体管类型

    NPN, PNP

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    100 @ 150mA, 10V

  • 最大集极截止电流

    10µA (ICBO)

  • JEDEC-95代码

    TO-78

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    400mV @ 15mA, 150mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    40V

  • 频率转换

    -

  • 集电极基极电压(VCBO)

    60 V

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.6 A

  • 最小直流增益(hFE)

    50

  • 连续集电极电流

    600 mA

  • 集电极-发射器电压-最大值

    40 V

  • 自然环境下的热阻

    --

  • 温度上升时的耗散功率

    --

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - BJT

  • 宽度

    0.984 (25.00mm)

  • 长度

    0.984 (25.00mm)

  • 直径

    --

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