Microchip JANTX2N5339

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

供应商器件包装

TO-39

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

Base Product Number

2N5339

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

60 at 2 A, 2 VDC

Collector-Emitter Saturation Voltage

700 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

5 A

DC Current Gain hFE Max

240 at 2 A, 2 VDC

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

100 V

操作温度

-55°C ~ 200°C

系列

-

包装

Bulk

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率耗散

10

功率 - 最大

1 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 2A, 2V

最大集极截止电流

100µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

连续集电极电流

5

产品类别

Bipolar Transistors - BJT