Microchip JANTX2N5666S

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

Axial

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

Axial

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

Base Product Number

2N5666

厂商

微芯片技术

Product Status

Discontinued at Digi-Key

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

JANTX2N5666S

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Semicoa Semiconductors

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

SEMICOA CORP

Risk Rank

5.04

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

Military, MIL-R-10509/7, RN55

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.090 Dia x 0.240 L (2.29mm x 6.10mm)

容差

±1%

零件状态

活跃

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±25ppm/°C

电阻

69.8 Ohms

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Metal Film

功率(瓦特)

0.125W, 1/8W

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

1.2 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/455

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

失败率

--

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

1.2 W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.2 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

200 V

最大集电极电流

5 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 1A, 5V

最大集极截止电流

200nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 1A, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

200 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

250 V

最大耗散功率(Abs)

15 W

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

5

集电极-发射器电压-最大值

200 V

特征

Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety

座位高度(最大)

--