Microchip JANTX2N5667

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

包装/外壳

TO-5-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-5

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Qualification

MIL-PRF-55681/11

Transistor Polarity

NPN

Emitter-Base Voltage

6(V)

Package Type

TO-5

Collector-Base Voltage

400(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

5(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

通孔

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

RoHS

Compliant

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

1.2 W

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

25 at 1 A, 5 VDC

Collector-Emitter Saturation Voltage

400 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

5 A

DC Current Gain hFE Max

75 at 1 A, 5 VDC

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

300 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

Base Product Number

2N5667

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTX2N5667

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.44

Part Package Code

TO-5

包装

Bag

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/455

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

电容量

0.015 uF

子类别

Transistors

最大功率耗散

1.2 W

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/455E

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

1.2

箱体转运

COLLECTOR

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

1.2 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

300 V

最大集电极电流

5 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 1A, 5V

最大集极截止电流

200nA

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 1A, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

300 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

400 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

25

连续集电极电流

5

集电极-发射器电压-最大值

300 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

产品长度

4.5 mm

产品宽度

4.5 x 6.4 x 1.5

辐射硬化

无