Microchip JANTX2N5796

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

供应商器件包装

TO-78-6

Transistor Polarity

PNP

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

Base Product Number

2N5796

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

600 mW

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

40

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.6 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

操作温度

-20°C ~ 70°C

系列

SiT8208

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

零件状态

活跃

类型

XO (Standard)

子类别

Transistors

技术

Si

电压 - 供电

1.8V

频率

66.66666MHz

频率稳定性

±10ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

功能

Standby (Power Down)

基本谐振器

MEMS

最大电流源

31mA

电流 - 电源（禁用）（最大值）

10µA

配置

Dual

功率耗散

600

功率 - 最大

600mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

2 PNP (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

绝对牵引范围 (APR)

--

连续集电极电流

600

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

座位高度(最大)

0.032 (0.80mm)

评级结果

--