Microchip JANTX2N6193

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JANTX2N6193

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

TO-39

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Risk Rank

1.65

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

30 MHz

Turn-off Time-Max (toff)

2200 ns

Turn-on Time-Max (ton)

200 ns

Transistor Polarity

PNP

Emitter-Base Voltage

6(V)

Package Type

TO-39

Collector-Base Voltage

100(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

5(A)

DC Current Gain

60

Mounting

通孔

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

Base Product Number

2N6193

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

60 at 2 A, 2 VDC

Collector-Emitter Saturation Voltage

700 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

5 A

DC Current Gain hFE Max

240 at 2 A, 2 VDC

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

100 V

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

包装

Bag

操作温度

-65°C ~ 200°C

系列

MIL-PRF-19500/561

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

1 W

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/561

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

极性

PNP

配置

SINGLE

功率耗散

10

箱体转运

COLLECTOR

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

100 V

最大集电极电流

5 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 2A, 2V

最大集极截止电流

100µA

JEDEC-95代码

TO-39

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

最大耗散功率(Abs)

10 W

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

60

连续集电极电流

5

集电极-发射器电压-最大值

100 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

无铅

含铅