Microchip JANTX2N6251

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

供应商器件包装

TO-3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JANTX2N6251

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

TO-3

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Risk Rank

1.47

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Turn-off Time-Max (toff)

4500 ns

Turn-on Time-Max (ton)

2000 ns

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

10 A

Base Product Number

2N6251

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350 V

RoHS

Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

Microchip / Microsemi

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/510

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

5.5 W

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/510D

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

175

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

5.5 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

350 V

最大集电极电流

10 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

6 @ 10A, 3V

最大集极截止电流

1mA

JEDEC-95代码

TO-204AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1.67A, 10A

电压 - 集射极击穿（最大值）

350 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

450 V

最大耗散功率(Abs)

175 W

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

10 A

最小直流增益（hFE）

6

连续集电极电流

10

集电极-发射器电压-最大值

350 V

VCEsat-最大值

1.5 V

集电极-基极电容-最大值

500 pF

环境耗散-最大值

5.5 W

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无

无铅

含铅