Microchip JANTX2N6341

底架

通孔

包装/外壳

TO-3-2

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-3 (TO-204AA)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Number of Elements

1

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

200 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

40

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

DC Current Gain hFE Max

120

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

150 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

25 A

Base Product Number

2N6341

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

40 MHz

Manufacturer Part Number

JANTX2N6341

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.21

Part Package Code

TO-3

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/509

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

200 W

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/509

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

200 W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

200 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

150 V

最大集电极电流

25 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 10A, 2V

最大集极截止电流

10µA

JEDEC-95代码

TO-204

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.8V @ 2.5A, 25A

电压 - 集射极击穿（最大值）

150 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

180 V

最大耗散功率(Abs)

200 W

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

10 A

最小直流增益（hFE）

30

连续集电极电流

25 A

集电极-发射器电压-最大值

150 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无