Microchip JANTX2N6351

表面安装

NO

包装/外壳

TO-33-4

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-33

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JANTX2N6351

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

TO-33

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W4

Risk Rank

5.28

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Turn-off Time-Max (toff)

1200 ns

Turn-on Time-Max (ton)

500 ns

Emitter- Base Voltage VEBO

12 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

200

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

5 A

Maximum Operating Frequency

10 MHz

Maximum Collector Cut-off Current

1 uA

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

150 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

Base Product Number

2N6351

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/472

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

参考标准

MIL-19500/472B

JESD-30代码

O-MBCY-W4

资历状况

Qualified

配置

DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

达林顿晶体管

晶体管类型

NPN - Darlington

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 5A, 5V

最大集极截止电流

-

JEDEC-95代码

TO-33

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 10mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

150 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

150 V

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

1000

连续集电极电流

5 A

产品类别

达林顿晶体管